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2004 Jun 14 6
NXP Semiconductors
Product data sheet
1 A very low VF
MEGA Schottky
barrier rectifier
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
10202515
30
VR (V)
10
5
IR
(μA)
105
104
103
102
10
MHC677
(1)
(3)
(2)
Fig.7 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
PMEG3010BEA/PMEG3010BEV
(1) Tamb
= 150
°C.
(2) Tamb
= 85
°C.
(3) Tamb
= 25
°C.
handbook, halfpage120Cd
0 5 10 2015
VR
(V)
100
0
40
20
80
60
(pF)
MHC678
Fig.8 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
PMEG3010BEA/PMEG3010BEV
Tamb
= 25
°C; f = 1 MHz.
handbook, halfpageI
F
0.6
VF
(V)
0.4
(mA)
0.2
0
104
103
102
10
1
10?1
MHC679
(1)
(2)
(3)
Fig.9 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
PMEG4010BEA/PMEG4010BEV
(1) Tamb
= 150
°C.
(2) Tamb
= 85
°C.
(3) Tamb
= 25
°C.
105handbook, halfpage
IR
1030
V40R (V)
20
10
MHC680
104
103(2)
102
10(3)
(μA)(1)
Fig.10 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
PMEG4010BEA/PMEG4010BEV
(1) Tamb
= 150
°C.
(2) Tamb
= 85
°C.
(3) Tamb
= 25
°C.
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